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• 第三代半导体氮化镓：引领电力电子变革的关键力量**
  氮化镓（GaN）作为一种第三代半导体材料，相较于传统的硅（Si）和碳化硅（SiC），具有更高的电子迁移率、更低的导通电阻和更快的开关速度。这使得氮化镓在电力电子领域具有显著的优势，尤其是在高频、高功率...
  2026-07-03